IRF7105PBF vs IRF7306TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7105PBF توسط Infineon و IRF7306TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7105PBF IRF7306TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7105PBF —
FET Type N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary) —
Technology HEXFET (Fifth Generation) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 25 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
بسته‌بندی / کیس 8-SOIC (SO-8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Qualification Industrial Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Soldering Compatibility Vapor Phase, Infrared, Wave —
dv/dt Rating Dynamic (rated per datasheet) —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max — 100 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C (junction)
بسته‌بندی — 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
Packaging — Tape & Reel (TR)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت