IRF7309TRPBF vs IRFR9024NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7309TRPBF بواسطة Infineon و IRFR9024NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7309TRPBF IRFR9024NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $0.17
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (Gen 5)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
العلبة 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
عدد الأطراف — 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر