IRF7309TRPBF vs IRFR9024NTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7309TRPBF द्वारा Infineon और IRFR9024NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7309TRPBF IRFR9024NTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $0.17
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (Gen 5)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (TJ) —
पैकेज 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
पल्स्ड ड्रेन करंट — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
पिन काउंट — 3

डेटाशीट और संसाधन

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