IRF7309TRPBF vs IRFR9024NTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7309TRPBF מאת Infineon ו IRFR9024NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7309TRPBF IRFR9024NTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $0.17
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (Gen 5)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C (TJ) —
מארז 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
זרם ניקוז פועם — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
מספר פינים — 3

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר