IRF7342PBF vs IRF7343TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7342PBF بواسطة Infineon و IRF7343TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7342PBF IRF7343TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF —
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة / الحالة 8-SOIC (SO-8) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
حالة RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Part Status — Active
نوع الترانزستور — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
العلبة — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر