IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7779L2TRPBF بواسطة Infineon و IRF7769L1TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7779L2TRPBF | IRF7769L1TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 67 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 11 mOhm | 3.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS=10V | 7.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.3 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| العلبة | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Profile Height | 0.7 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | 100 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | — | 124 A |
| تيار التصريف النبضي | — | 142 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 125 W |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | 200 nC |
| Package Profile | — | 0.7 mm |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (TJ) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Lead-Free Reflow | — | 260C qualified |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |