IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7779L2TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7769L1TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF7779L2TRPBF | IRF7769L1TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 67 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 11 mOhm | 3.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS=10V | 7.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.3 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| پیکیج | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Profile Height | 0.7 mm | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | 100 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | — | 124 A |
| پلسڈ ڈرین کرنٹ | — | 142 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 125 W |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | 200 nC |
| Package Profile | — | 0.7 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (TJ) |
| MSL لیول | — | 1 |
| Lead-Free Reflow | — | 260C qualified |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |