IRF7779L2TRPBF vs IRF7769L1TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7779L2TRPBF tarafından Infineon ve IRF7769L1TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF7779L2TRPBF | IRF7769L1TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 67 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 11 mOhm | 3.5 mOhm |
| RDS(on) typical at VGS=10V | 7.7 mOhm | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 11 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.3 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Paket | DirectFET Isometric L8 | DirectFET Isometric L8 |
| Profile Height | 0.7 mm | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | 100 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | — | 124 A |
| Pulsed Dræn Akımı | — | 142 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 125 W |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | 200 nC |
| Package Profile | — | 0.7 mm |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (TJ) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Lead-Free Reflow | — | 260C qualified |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliance | — | Compliant |