IRF9540NSTRLPBF vs IRF4905STRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF9540NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRF4905STRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF9540NSTRLPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Product Type | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -23 A (at Tc) | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | 117 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 120 nC |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 110 W | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, Advanced Process | HEXFET (Planar) |
| Polarity | P-Channel | — |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead Finish | Pb-free, RoHS-compliant | — |
| Shipping Media | Tape and Reel (TR suffix) | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | 1 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |