IRF9540NSTRLPBF vs IRF4905STRLPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRF9540NSTRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRF4905STRLPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRF9540NSTRLPBF IRF4905STRLPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 120 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Kemasan D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar)
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +175C
Aras MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga