IRFB3207ZPBF vs IPB100N12S305ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon و IPB100N12S305ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB3207ZPBF IPB100N12S305ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET OptiMOS 5 120V
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (3-lead through-hole) —
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
مستوى MSL N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
العلبة / الحالة — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر