IRFB3207ZPBF vs IPB100N12S305ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB3207ZPBF tarafından Infineon ve IPB100N12S305ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB3207ZPBF IPB100N12S305ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET OptiMOS 5 120V
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) —
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket TO-220AB (3-lead through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL Seviyesi N/A (through-hole) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) — 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Avalanche Energy (EAS) — 1445 mJ
Paket / Kas — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin