IRFB3207ZPBF vs IRFB4410PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon و IRFB4410PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB3207ZPBF IRFB4410PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET HEXFET
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
مستوى MSL N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
حالة RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر