IRFB3207ZPBF vs IRFB4410PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon और IRFB4410PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB4410PBF IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFB3207ZPBF IRFB4410PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET HEXFET
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
पैकेज TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL स्तर N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
RoHS स्थिति — Compliant (Pb-free PBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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