IRFB3207ZPBF vs IRFB4410PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB3207ZPBF מאת Infineon ו IRFB4410PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB3207ZPBF IRFB4410PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET HEXFET
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
רמת MSL N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר