IRFB3207ZPBF vs IRFB4410PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFB3207ZPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4410PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFB4410PBF IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFB3207ZPBF IRFB4410PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET HEXFET
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +175 C —
প্যাকেজ TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL লেভেল N/A (through-hole) 1 (unlimited)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant (Pb-free PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট