IRFB4110PBF vs AUIRFB8409 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4110PBF بواسطة Infineon و AUIRFB8409 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB4110PBF AUIRFB8409
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $1.55 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
العلبة TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (planar-trench MOSFET)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
حالة RoHS Compliant (Pb-free suffix) [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet]
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 195 A
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) — 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 375 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Qualification — Automotive Grade (AEC-Q101 family)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر