IRFB4110PBF vs AUIRFB8409 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB4110PBF מאת Infineon ו AUIRFB8409 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB4110PBF AUIRFB8409
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $1.55 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
מארז TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (planar-trench MOSFET)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix) [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet]
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 195 A
זרם ניקוז פועם — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) — 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 375 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Qualification — Automotive Grade (AEC-Q101 family)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר