IRFB4110PBF vs AUIRFB8409 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4110PBF tarafından Infineon ve AUIRFB8409 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB4110PBF AUIRFB8409
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $1,55 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Paket TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (planar-trench MOSFET)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant (Pb-free suffix) [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet]
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 195 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) — 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 375 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Qualification — Automotive Grade (AEC-Q101 family)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin