IRFB4110PBF vs AUIRFB8409 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور AUIRFB8409 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB4110PBF AUIRFB8409
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $1.55 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Technology HEXFET (planar DMOS) HEXFET (planar-trench MOSFET)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free suffix) [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement in datasheet]
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 195 A
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
R<sub>DS(on)</sub> max (V<sub>GS</sub>=10V) — 1.2 mΩ (Infineon page) / 0.97 mΩ (Mouser title)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 375 W
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Qualification — Automotive Grade (AEC-Q101 family)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں