IRFB7437PBF vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB7437PBF بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB7437PBF IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL Not Applicable (through-hole package) N/A (through-hole)
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر