IRFB7437PBF vs IRFB3207ZPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB7437PBF द्वारा Infineon और IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFB7437PBF IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFB7437PBF IRFB3207ZPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-lead through-hole)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
RoHS स्थिति Compliant —
MSL स्तर Not Applicable (through-hole package) N/A (through-hole)
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

डेटाशीट और संसाधन

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