IRFB7437PBF vs IRFB3207ZPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB7437PBF מאת Infineon ו IRFB3207ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB7437PBF IRFB3207ZPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
מארז TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-lead through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL Not Applicable (through-hole package) N/A (through-hole)
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר