IRFB7437PBF vs IRFB3207ZPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFB7437PBF bằng Infineon và IRFB3207ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFB7437PBF IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFB7437PBF IRFB3207ZPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 195 A —
Silicon-Limited Drain Current 250 A 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
R_DS(on) typ @ VGS=10V 1.5 mΩ —
R_DS(on) max @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family) —
Total Gate Charge (Qg) 150 nC —
Miller Plateau Charge (Qgd) 49 nC —
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 230 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55°C to +175°C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 0.62 °C/W —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (3-lead through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Lead Finish Lead-free (PBF - Pb-free plating) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL Not Applicable (through-hole package) N/A (through-hole)
AEC-Q101 Automotive Not qualified (industrial/consumer) —
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá