IRFH7440TRPBF vs IRF7854TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH7440TRPBF بواسطة Infineon و IRF7854TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH7440TRPBF IRF7854TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $0.48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
العلبة 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad SO-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) Yes (PBF suffix, lead-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C (TJ)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر