IRFH7440TRPBF vs IRF7854TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH7440TRPBF tarafından Infineon ve IRF7854TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH7440TRPBF IRF7854TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,48
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) HEXFET (planar N-channel)
Paket 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad SO-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard JEDEC industrial, Normal level
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) Yes (PBF suffix, lead-free)
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +150°C (TJ)
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin