IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR120NTRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |