IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR120NTRLPBF bằng Infineon và IRFR1205TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR120NTRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |