IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR120NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR120NTRLPBF IRFR1205TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 43.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں