IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFR120NTRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFR1205TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFR120NTRLPBF IRFR1205TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 43.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Gambaran Suhu Hubungan Operasi -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
Kemasan PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga