IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR120NTRLPBF توسط Infineon و IRFR1205TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR120NTRLPBF IRFR1205TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 210 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 43.3 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Avalanche Energy Rated Yes (fully avalanche rated) —
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free Finish Yes (Pb-free) —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت