IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR120NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR120NTRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |