IRFR120NTRLPBF vs IRFR1205TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR120NTRLPBF מאת Infineon ו IRFR1205TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR120NTRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | 44 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 210 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| טווח טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free Finish | Yes (Pb-free) | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |