IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR024NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR024NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR3710ZTRLPBF IRFR024NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET —
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
العلبة TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (TJ) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر