IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR024NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3710ZTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR024NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3710ZTRLPBF IRFR024NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET —
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin