IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5305TRLPBF بواسطة Infineon و IRF5305STRRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5305TRLPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=-5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET fifth-generation planar MOSFET | HEXFET (Advanced Process) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, suffix "PBF") | Yes (Pb-free suffix) |
| Tape & Reel Orientation | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) | — |
| نوع الترانزستور | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Polarity | — | P-Channel |