IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5305TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF5305STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5305TRLPBF IRF5305STRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (Pb-free suffix)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں