IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRLPBF द्वारा Infineon और IRF5305STRRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR5305TRLPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=-5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | -55C to +175C |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET fifth-generation planar MOSFET | HEXFET (Advanced Process) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, suffix "PBF") | Yes (Pb-free suffix) |
| Tape & Reel Orientation | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Polarity | — | P-Channel |