IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR5305TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF5305STRRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR5305TRLPBF IRF5305STRRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C -55C to +175C
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (Pb-free suffix)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট