IRFR5305TRLPBF vs IRF5305STRRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5305TRLPBF توسط Infineon و IRF5305STRRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5305TRLPBF IRF5305STRRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET HEXFET (Advanced Process)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") Yes (Pb-free suffix)
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
نوع ترانزیستور — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Packaging — Tape & Reel (TR)
Polarity — P-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت