IRFR540ZTRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR540ZTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR540ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 28.5 mΩ max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 91 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Technology IR MOSFET™ / HEXFET® HEXFET (IR MOSFET)
العلبة TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر