IRFR540ZTRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR540ZTRLPBF bằng Infineon và IRFR3710ZTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR540ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 28.5 mΩ max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 91 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Technology IR MOSFET™ / HEXFET® HEXFET (IR MOSFET)
Hộp TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá