IRFR540ZTRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR540ZTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR3710ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF - 100V 35A N-Channel MOSFET | Infineon

IRFR540ZTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR540ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 28.5 mΩ max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical V] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (PD) at TC 91 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Technology IR MOSFET™ / HEXFET® HEXFET (IR MOSFET)
Paket TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (TR-L), 800-piece leader/trailer —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin