IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9024NTRLPBF بواسطة Infineon و IRF7205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9024NTRLPBF | IRF7205TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR HEXFET (4th generation) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | — |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| FET Type | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | -4.6 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 70 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | — | 130 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | — | 2.5 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | — | SO-8 (8-SO) |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |