IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9024NTRLPBF द्वारा Infineon और IRF7205TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR9024NTRLPBF | IRF7205TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR HEXFET (4th generation) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | — |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| FET Type | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | -4.6 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 70 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | — | 130 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 2.5 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | — | SO-8 (8-SO) |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |