IRFR9024NTRLPBF vs IRF7205TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR9024NTRLPBF bằng Infineon và IRF7205TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR9024NTRLPBF IRF7205TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR HEXFET (4th generation)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) —
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) — 2.5 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +150 °C
Hộp — SO-8 (8-SO)
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá