IRFR9024NTRPBF vs IRFR9024NTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9024NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR9024NTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9024NTRPBF | IRFR9024NTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $0.17 | — |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc=25C) | -11 A | — |
| تيار التصريف النبضي | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| VGS(th) (Threshold Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.7 nC | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | 38 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) |
| Technology | HEXFET (Gen 5) | HEXFET (Generation 5) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -11 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 175 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 38 W |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 12.7 nC |
| Package Type | — | TO-252AA (DPAK) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (LPBF suffix) |
| Reel Orientation | — | Left (TRL suffix) |