IRFR9024NTRPBF vs IRFR9024NTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR9024NTRPBF bằng Infineon và IRFR9024NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $0,17 —
Polarity P-Channel P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Điện áp rò rỉ xung [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 3 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Technology HEXFET (Gen 5) HEXFET (Generation 5)
Trạng thái RoHS Compliant —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá