IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR9120NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9120NTRLPBF | IRFR9120NTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | HEXFET fifth-generation IR MOSFET |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -6.6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V | — | 480 milliohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typical) |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 40 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead Finish / Plating | — | Pb-free (PBF suffix), Matte Tin |
| Moisture Sensitivity | — | MSL1 per JEDEC J-STD-020 |