IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9120NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR9120NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR9120NTRLPBF | IRFR9120NTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (Tj) | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | HEXFET fifth-generation IR MOSFET |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (unlimited floor life) |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -6.6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V | — | 480 milliohm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typical) |
| Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 40 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead Finish / Plating | — | Pb-free (PBF suffix), Matte Tin |
| Moisture Sensitivity | — | MSL1 per JEDEC J-STD-020 |